檢索結果:共6筆資料 檢索策略: "積體化".ckeyword (精準) and cadvisor.raw="李三良"
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本論文探討將三五族雷射與矽光子積體電路進行複合積體化的兩項關鍵技術:一為研究晶片黏合,另一則為使用晶圓代工廠製作雷射的特性與可行性分析。晶片黏合是利用二乙烯基矽氧烷-雙苯並環丁烯 (DVS-B…
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本論文主要之研究為利用量子井混合效應來設計製作雷射與電 吸收調變器共平面結構之積體化元件,使其能運用在高速的光通訊系 統中。主動層材料為磷砷化銦鎵(InGaAsP)的材料。發光波段主要 設計在155…
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本研究利用標準Bulk CMOS製程中高解析度離子佈植與多層金屬連接層的特性,實現積體化背部電極太陽能電池,選擇0.18、0.35μm CMOS製程中的N-well/P-substrate接面區域設…
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本論文主要之研究為雙量子井結構的積體化技術,所積體化之元件為分佈反饋式(DFB) 雷射與電致吸收調變器(EAM),由於將此兩元件進行積體化的優點在於兩者均為光通訊系統中具備重要功能的特性元件,如進行…
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本論文主要利用雙量子井結構將各光學主被動元件積體化,所積體化之元件包含分佈反饋式雷射(DFB)及電致吸收調變器(EAM)的結合,並利用多模干涉耦合器將波長分別為1.58 μm及1.6 μm之雙雷…
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本論文主要之研究為利用雙量子結構分別設計與製作電致吸收調變器結合半導體雷射及反射式電致吸收調變器結合半導體光放大器之光積體化元件,使其分別能運用在光纖通訊系統中的頭端及用戶端。主動層材料利用兩組具壓…